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PSMN010-55D,118
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2344267-PSMN010-55D,118
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PSMN010-55D,118
Embalaje estándar:
2,500
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N-Channel 55 V 75A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | PSMN0 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 55 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 55 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3300 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 125W (Tc) | |
| Otros nombres | 934055819118 PSMN010-55D /T3 PSMN010-55D /T3-ND |
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