Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 60 V 80A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 | |
Número de producto base | TK4R3E06 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | U-MOSIX-H | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 80A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 15A, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 500µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 48.2 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-220-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3280 pF @ 30 V | |
Disipación de energía (máx.) | 87W (Tc) | |
Otros nombres | TK4R3E06PLS1X TK4R3E06PL,S1X(S |
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.