SUG90090E-GE3

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Número de pieza NOVA:
312-2292257-SUG90090E-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SUG90090E-GE3
Embalaje estándar:
500
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 200 V 100A (Tc) 395W (Tc) Through Hole TO-247AC

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247AC
Número de producto base SUG90090
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieThunderFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 129 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-247-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 5220 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.) 395W (Tc)
Otros nombresSUG90090E-GE3DKRINACTIVE
SUG90090E-GE3CTINACTIVE
SUG90090E-GE3DKR
SUG90090E-GE3TR
742-SUG90090E-GE3
SUG90090E-GE3TR-ND
SUG90090E-GE3CT
SUG90090E-GE3CT-ND
SUG90090E-GE3DKR-ND

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