IPB110P06LMATMA1

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MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3

Número de pieza NOVA:

312-2298277-IPB110P06LMATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPB110P06LMATMA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 60 V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-3-2
Número de producto base	IPB110
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	2V @ 5.55mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	281 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8500 pF @ 30 V
Disipación de energía (máx.)	300W (Tc)
Otros nombres	448-IPB110P06LMATMA1TR SP004987252 448-IPB110P06LMATMA1CT IPB110P06LMATMA1-ND 448-IPB110P06LMATMA1DKR