Aluminio
águila
Okad
Forro
Kikad
SIHD5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Número de pieza NOVA:
312-2265209-SIHD5N50D-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SIHD5N50D-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
Formato de descarga disponible
Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount D-Pak
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D-Pak | |
| Número de producto base | SIHD5 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.3A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 500 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 325 pF @ 100 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 104W (Tc) | |
| Otros nombres | SIHD5N50D-GE3DKR-ND SIHD5N50D-GE3DKRINACTIVE SIHD5N50D-GE3CT SIHD5N50D-GE3TR SIHD5N50D-GE3TRINACTIVE SIHD5N50DGE3 SIHD5N50D-GE3DKR SIHD5N50D-GE3TR-ND SIHD5N50D-GE3CT-ND |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
US1MDFQ-13Diodes Incorporated
IXTA10P50PIXYS
