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NVATS68301PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 100V 31A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2304026-NVATS68301PZT4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVATS68301PZT4G
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 100 V 31A (Ta) 84W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | NVATS68301 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 31A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 14A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 55 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2850 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 84W (Tc) |
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