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IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Número de pieza NOVA:
312-2275547-IRF200B211
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRF200B211
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB | |
| Número de producto base | IRF200 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4.9V @ 50µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 790 pF @ 50 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 80W (Tc) | |
| Otros nombres | SP001561622 INFIRFIRF200B211 2156-IRF200B211 |
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