IPT026N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF

Número de pieza NOVA:

312-2298776-IPT026N10N5ATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

IPT026N10N5ATMA1

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 27A (Ta), 202A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-HSOF-8-1
Número de producto base	IPT026
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™5
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	27A (Ta), 202A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.8V @ 158µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8800 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	214W (Tc)
Otros nombres	448-IPT026N10N5ATMA1DKR 448-IPT026N10N5ATMA1TR SP003883420 448-IPT026N10N5ATMA1CT