NTH4L060N090SC1

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Número de pieza NOVA:
312-2272545-NTH4L060N090SC1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTH4L060N090SC1
Embalaje estándar:
450
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 900 V 46A (Tc) 221W (Tc) Through Hole TO-247-4L

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247-4L
TecnologíaSiCFET (Silicon Carbide)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 43mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 4.3V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 87 nC @ 15 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-247-4
Vgs (Máx.)+22V, -8V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)900 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1770 pF @ 450 V
Disipación de energía (máx.) 221W (Tc)
Otros nombres488-NTH4L060N090SC1DKR-ND
488-NTH4L060N090SC1CT-ND
488-NTH4L060N090SC1
488-NTH4L060N090SC1TR-ND
488-NTH4L060N090SC1TR
488-NTH4L060N090SC1CT
488-NTH4L060N090SC1DKR

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