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BUK9E1R8-40E,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Número de pieza NOVA:
312-2344748-BUK9E1R8-40E,127
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
BUK9E1R8-40E,127
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK | |
| Número de producto base | BUK9E1R8 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.1V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 120 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 16400 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 349W (Tc) | |
| Otros nombres | 934066586127 |
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