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N-Channel 650 V 31A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
Número de producto base | IPB60R099 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | CoolMOS™ P7 | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 31A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 10.5A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 530µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1952 pF @ 400 V | |
Disipación de energía (máx.) | 117W (Tc) | |
Otros nombres | IPB60R099P7ATMA1CT IPB60R099P7ATMA1-ND SP001664910 2156-IPB60R099P7ATMA1 IPB60R099P7 IPB60R099P7ATMA1TR IPB60R099P7ATMA1DKR IFEINFIPB60R099P7ATMA1 |
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