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NVD4806NT4G
MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2339695-NVD4806NT4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVD4806NT4G
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 11.3A (Ta), 79A (Tc) 1.4W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | NVD480 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11.3A (Ta), 79A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 11.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 23 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2142 pF @ 12 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.4W (Ta), 68W (Tc) | |
| Otros nombres | NVD4806NT4G-VF01OSDKR-ND ONSONSNVD4806NT4G NVD4806NT4G-VF01OSCT-ND NVD4806NT4GOSTR NVD4806NT4G-VF01 NVD4806NT4G-VF01OSTR NVD4806NT4G-VF01-ND NVD4806NT4G-VF01OSDKR NVD4806NT4G-VF01OSCT NVD4806NT4G-VF01OSTR-ND NVD4806NT4GOSDKR NVD4806NT4G-ND NVD4806NT4GOSCT 2156-NVD4806NT4G |
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