SI7106DN-T1-E3

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MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8

Número de pieza NOVA:

312-2281103-SI7106DN-T1-E3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI7106DN-T1-E3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Número de producto base	SI7106
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	12.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	27 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Disipación de energía (máx.)	1.5W (Ta)
Otros nombres	SI7106DN-T1-E3CT SI7106DN-T1-E3TR SI7106DN-T1-E3DKR SI7106DNT1E3