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C3M0065100J
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Número de pieza NOVA:
312-2264824-C3M0065100J
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
C3M0065100J
Embalaje estándar:
50
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 1000 V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK-7 | |
| Número de producto base | C3M0065100 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | C3M™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 5mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 35 nC @ 15 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +15V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 660 pF @ 600 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 113.5W (Tc) |
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