SI3127DV-T1-GE3

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MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP

Número de pieza NOVA:

312-2282664-SI3127DV-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI3127DV-T1-GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 60 V 3.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	6-TSOP
Número de producto base	SI3127
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	3.5A (Ta), 13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	89mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	833 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Otros nombres	SI3127DV-T1-GE3TR SI3127DV-T1-GE3DKR SI3127DV-T1-GE3CT