IRLD024PBF

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Número de pieza NOVA:
312-2283047-IRLD024PBF
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IRLD024PBF
Embalaje estándar:
100
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 60 V 2.5A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeThrough Hole
Paquete de dispositivo del proveedor 4-HVMDIP
Número de producto base IRLD024
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Serie-
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 18 nC @ 5 V
Función FET-
Paquete / Caja4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (Máx.)±10V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 870 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.) 1.3W (Ta)
Otros nombres*IRLD024PBF

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