SQ2364EES-T1

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SQ2364EES-T1_GE3

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Número de pieza NOVA:

312-2280923-SQ2364EES-T1_GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SQ2364EES-T1_GE3

Embalaje estándar:

3,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 60 V 2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Número de producto base	SQ2364
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±8V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	330 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	3W (Tc)
Otros nombres	SQ2364EES-T1_GE3CT SQ2364EES-T1_GE3TR SQ2364EES-T1_GE3DKR