Aluminio
águila
Okad
Forro
Kikad
IMW65R083M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Número de pieza NOVA:
312-2299480-IMW65R083M1HXKSA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IMW65R083M1HXKSA1
Embalaje estándar:
30
Hoja de datos técnicos:
Formato de descarga disponible
Complete su formulario en el formulario y nos pondremos en contacto con usted lo antes posible y le daremos el modelo cad.
N-Channel 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-41 | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | CoolSiC™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 24A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 111mOhm @ 11.2A, 18V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 5.7V @ 3.3mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 19 nC @ 18 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +20V, -2V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 624 pF @ 400 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 104W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IMW65R083M1HXKSA1 |
In stock Por favor contáctenos
?No es el precio que quieres? Por favor complete el formulario, nos pondremos en contacto con usted lo antes posible.
?Encontramos otros productos que te pueden gustar!
IMZA65R083M1HXKSA1Infineon Technologies
IMZ120R060M1HXKSA1Infineon Technologies
IMW65R057M1HXKSA1Infineon Technologies
C3M0025065KWolfspeed, Inc.- SCTWA90N65G2VSTMicroelectronics
