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N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-1 | |
Número de producto base | BSC042 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 100A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.8V @ 91µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 75 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4800 pF @ 37.5 V | |
Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 125W (Tc) | |
Otros nombres | BSC042NE7NS3 GTR-ND BSC042NE7NS3G 2156-BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC042NE7NS3GATMA1TR BSC042NE7NS3 GCT-ND BSC042NE7NS3 G-ND SP000657440 BSC042NE7NS3 GDKR-ND BSC042NE7NS3GATMA1DKR BSC042NE7NS3 G BSC042NE7NS3 GCT BSC042NE7NS3 GDKR BSC042NE7NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC042NE7NS3 GTR BSC042NE7NS3GATMA1CT INFINFBSC042NE7NS3GATMA1 |
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