BSZ123N08NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON

Número de pieza NOVA:

312-2282223-BSZ123N08NS3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSZ123N08NS3GATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Número de producto base	BSZ123
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	10A (Ta), 40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 33µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	80 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1700 pF @ 40 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Ta), 66W (Tc)
Otros nombres	BSZ123N08NS3GINCT-ND BSZ123N08NS3GATMA1CT BSZ123N08NS3GINTR-ND BSZ123N08NS3GXT BSZ123N08NS3 G BSZ123N08NS3GINTR BSZ123N08NS3G BSZ123N08NS3GATMA1TR SP000443632 BSZ123N08NS3GINCT BSZ123N08NS3GATMA1DKR BSZ123N08NS3GINDKR-ND BSZ123N08NS3GINDKR