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NVF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Número de pieza NOVA:
312-2339824-NVF3055-100T1G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVF3055-100T1G
Embalaje estándar:
1,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 (TO-261) | |
| Número de producto base | NVF3055 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 3A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 455 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.3W (Ta) | |
| Otros nombres | NVF3055-100T1GOSTR NVF3055-100T1G-ND NVF3055-100T1GOSCT NVF3055-100T1GOSDKR |
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