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SQ3419EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Número de pieza NOVA:
312-2281113-SQ3419EV-T1_GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SQ3419EV-T1_GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 40 V 6.9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
| Número de producto base | SQ3419 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 6.9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 11.3 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 990 pF @ 20 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 5W (Tc) | |
| Otros nombres | SQ3419EV-T1-GE3 SQ3419EV-T1_GE3TR SQ3419EV-T1_GE3DKR SQ3419EV-T1_GE3CT SQ3419EV-T1_GE3-ND |
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