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P-Channel 25 V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Fairchild Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23 | |
Número de producto base | FDV30 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | - | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1.5V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 0.31 nC @ 4.5 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Máx.) | -8V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 11000 pF @ 10 V | |
Disipación de energía (máx.) | 350mW (Ta) | |
Otros nombres | 2156-FDV302P ONSFSCFDV302P |
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