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NTLJF4156NT1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Número de pieza NOVA:
312-2280771-NTLJF4156NT1G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTLJF4156NT1G
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 2.5A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-WDFN (2x2) | |
| Número de producto base | NTLJF4156 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.5A (Tj) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.5 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | Schottky Diode (Isolated) | |
| Paquete / Caja | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 427 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 710mW (Ta) | |
| Otros nombres | NTLJF4156NT1GOSDKR =NTLJF4156NT1GOSCT-ND NTLJF4156NT1GOSCT ONSONSNTLJF4156NT1G 2156-NTLJF4156NT1G-OS NTLJF4156NT1GOSTR NTLJF4156NT1G-ND |
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