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TPCC8066-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON
Número de pieza NOVA:
312-2330594-TPCC8066-H,LQ(S
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
TPCC8066-H,LQ(S
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 11A (Ta) 700mW (Ta), 17W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-TSON Advance (3.1x3.1) | |
| Número de producto base | TPCC8066 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVII-H | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 11A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 5.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.3V @ 100µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1100 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta), 17W (Tc) | |
| Otros nombres | TPCC8066-HLQ(S TPCC8066HLQS |
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