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NVF6P02T3G
MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Número de pieza NOVA:
312-2290585-NVF6P02T3G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVF6P02T3G
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 20 V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 (TO-261) | |
| Número de producto base | NVF6P02 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 6A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1200 pF @ 16 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 8.3W (Ta) | |
| Otros nombres | NVF6P02T3GOSDKR NVF6P02T3GOSCT NVF6P02T3GOSTR NVF6P02T3G-ND |
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