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Forro
Kikad
PHU11NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK
Número de pieza NOVA:
312-2344061-PHU11NQ10T,127
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PHU11NQ10T,127
Embalaje estándar:
75
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-Pak
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I-Pak | |
| Número de producto base | PHU11 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 10.9A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 14.7 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 360 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 57.7W (Tc) | |
| Otros nombres | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
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