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N-Channel 25 V 75A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
Número de producto base | PHD96 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 75A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4.95mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 26.7 nC @ 5 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2200 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 115W (Tc) | |
Otros nombres | 934056846118 PHD96NQ03LT /T3 PHD96NQ03LT /T3-ND |
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