BSP322PH6327XTSA1

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MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

Número de pieza NOVA:

312-2263238-BSP322PH6327XTSA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSP322PH6327XTSA1

Embalaje estándar:

1,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4
Número de producto base	BSP322
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	SIPMOS®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	1V @ 380µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	16.5 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	372 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	1.8W (Ta)
Otros nombres	SP001058784 BSP322PH6327XTSA1CT BSP322PH6327XTSA1DKR BSP322PH6327XTSA1TR