SI3483CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Número de pieza NOVA:
312-2294574-SI3483CDV-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI3483CDV-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

P-Channel 30 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 6-TSOP
Número de producto base SI3483
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETP-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1000 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.) 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Otros nombresSI3483CDV-T1-GE3CT
SI3483CDV-T1-GE3DKR
SI3483CDVT1GE3
SI3483CDV-T1-GE3TR

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