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Forro
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PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
Número de pieza NOVA:
312-2344952-PMT200EN,115
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMT200EN,115
Embalaje estándar:
1,000
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N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 800mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SC-73
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-73 | |
| Número de producto base | PMT2 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 475 pF @ 80 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) | |
| Otros nombres | 934066917115 2156-PMT200EN,115-ND 2156-PMT200EN115 2156-PMT200EN115-NXTR-ND NEXNXPPMT200EN,115 |
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