FQT1N60CTF-WS

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MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4

Número de pieza NOVA:

312-2281148-FQT1N60CTF-WS

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

FQT1N60CTF-WS

Embalaje estándar:

4,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 600 V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-223-4
Número de producto base	FQT1N60
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	QFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	200mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	11.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	6.2 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	170 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	2.1W (Tc)
Otros nombres	FQT1N60CTF-WSDKR FQT1N60CTF_WSDKR-ND FQT1N60CTF_WSTR FQT1N60CTF-WSCT FQT1N60CTF_WS FQT1N60CTF_WSCT-ND FQT1N60CTF_WSTR-ND FQT1N60CTF_WSCT FQT1N60CTF-WSTR FQT1N60CTFWS FQT1N60CTF_WSDKR