TPN2R304PL,L1Q

MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Número de pieza NOVA:
312-2281837-TPN2R304PL,L1Q
Número de parte del fabricante:
TPN2R304PL,L1Q
Embalaje estándar:
5,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

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CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Número de producto base TPN2R304
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieU-MOSIX-H
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.4V @ 0.3mA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / Caja8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)40 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3600 pF @ 20 V
Disipación de energía (máx.) 630mW (Ta), 104W (Tc)
Otros nombresTPN2R304PLL1QTR
TPN2R304PLL1QCT
TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QDKR

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