SI1308EDL-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Número de pieza NOVA:
312-2282007-SI1308EDL-T1-GE3
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
SI1308EDL-T1-GE3
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 30 V 1.4A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Surface Mount SC-70-3

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SC-70-3
Número de producto base SI1308
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 132mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 4.1 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaSC-70, SOT-323
Vgs (Máx.)±12V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 105 pF @ 15 V
Disipación de energía (máx.) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Otros nombresSI1308EDL-T1-GE3DKR
SI1308EDL-T1-GE3TR
SI1308EDL-T1-GE3CT
SI1308EDL-T1-GE3-ND

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