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NTNS3A65PZT5GHW
MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Número de pieza NOVA:
312-2342539-NTNS3A65PZT5GHW
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NTNS3A65PZT5GHW
Embalaje estándar:
3,000
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P-Channel 20 V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 281mA (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 1V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 3-XFDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 44 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 155mW (Ta) | |
| Otros nombres | 488-NTNS3A65PZT5GHWTR |
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