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RW1E025RPT2CR
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Número de pieza NOVA:
312-2275709-RW1E025RPT2CR
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
RW1E025RPT2CR
Embalaje estándar:
8,000
Hoja de datos técnicos:
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P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-WEMT | |
| Número de producto base | RW1E025 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.5V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 6-SMD, Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 480 pF @ 10 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Otros nombres | RW1E025RPT2CRCT RW1E025RPT2CRDKR RW1E025RPT2CRTR |
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