FDD1600N10ALZ

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Número de pieza NOVA:
312-2264265-FDD1600N10ALZ
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
FDD1600N10ALZ
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
CategoríaTransistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalajeTape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252AA
Número de producto base FDD1600
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
SeriePowerTrench®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id. 2.8V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 3.61 nC @ 10 V
Función FET-
Paquete / CajaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 225 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.) 14.9W (Tc)
Otros nombresFDD1600N10ALZCT
FDD1600N10ALZDKR
ONSONSFDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZTR
2156-FDD1600N10ALZ-OS

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