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N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-252AA | |
Número de producto base | FQD19N10 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | QFET® | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 15.6A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 7.8A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | ±25V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 780 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
Otros nombres | FQD19N10TM-ND 2156-FQD19N10TM-OS FQD19N10TMCT FQD19N10TMDKR FQD19N10TMTR FAIFSCFQD19N10TM |
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