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PMV45EN2VL
MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Número de pieza NOVA:
312-2298976-PMV45EN2VL
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PMV45EN2VL
Embalaje estándar:
10,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 30 V 5.1A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB | |
| Número de producto base | PMV45EN2 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 5.1A (Ta) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 4.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 209 pF @ 15 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 510mW (Ta) | |
| Otros nombres | 934068494235 |
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