SI4455DY-T1-GE3

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MOSFET P-CH 150V 2A 8SO

Número de pieza NOVA:

312-2288076-SI4455DY-T1-GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SI4455DY-T1-GE3

Embalaje estándar:

2,500

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

P-Channel 150 V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Número de producto base	SI4455
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET®
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	295mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1190 pF @ 50 V
Disipación de energía (máx.)	5.9W (Tc)
Otros nombres	SI4455DY-T1-GE3TR SI4455DY-T1-GE3-ND SI4455DY-T1-GE3DKR SI4455DY-T1-GE3CT