BSZ12DN20NS3GATMA1

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MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Número de pieza NOVA:

312-2280297-BSZ12DN20NS3GATMA1

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

BSZ12DN20NS3GATMA1

Embalaje estándar:

5,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TSDSON-8
Número de producto base	BSZ12DN20
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	11.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	4V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	680 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)	50W (Tc)
Otros nombres	2156-BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1DKR BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GCT IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GDKR SP000781784 BSZ12DN20NS3GATMA1CT BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3GTR-ND BSZ12DN20NS3GCT-ND BSZ12DN20NS3GDKR-ND