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N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3 | |
Número de producto base | IPB320 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | OptiMOS™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 90µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2350 pF @ 100 V | |
Disipación de energía (máx.) | 136W (Tc) | |
Otros nombres | SP000691172 IPB320N20N3G IPB320N20N3 GDKR IPB320N20N3 GCT IPB320N20N3GATMA1TR IPB320N20N3GATMA1DKR IPB320N20N3 G-ND IPB320N20N3 G IPB320N20N3 GDKR-ND IPB320N20N3 GTR IPB320N20N3GATMA1CT IPB320N20N3 GTR-ND IPB320N20N3 GCT-ND |
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