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NVD5890NT4G
MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Número de pieza NOVA:
312-2330412-NVD5890NT4G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NVD5890NT4G
Embalaje estándar:
2,500
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 40 V 24A (Ta), 123A (Tc) 4W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
| Número de producto base | NVD589 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 123A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.5V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4760 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 4W (Ta), 107W (Tc) | |
| Otros nombres | NVD5890NT4G-VF01 2156-NVD5890NT4G NVD5890NT4G-VF01-ND ONSONSNVD5890NT4G |
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