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N-Channel 650 V 7A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount | |
Paquete de dispositivo del proveedor | DPAK | |
Número de producto base | TK560P65 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | DTMOSV | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 7A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 3.5A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 240µA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 380 pF @ 300 V | |
Disipación de energía (máx.) | 60W (Tc) | |
Otros nombres | TK560P65YRQDKR TK560P65YRQCT TK560P65Y,RQ(S TK560P65YRQ(S TK560P65YRQTR |
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