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IPTG007N06NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOG-8
Número de pieza NOVA:
312-2298984-IPTG007N06NM5ATMA1
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
IPTG007N06NM5ATMA1
Embalaje estándar:
1,800
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-HSOG-8-1 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ 5 | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 53A (Ta), 454A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 150A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 3.3V @ 280µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 261 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | 8-PowerSMD, Gull Wing | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 21000 pF @ 30 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) | |
| Otros nombres | 448-IPTG007N06NM5ATMA1TR 448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR SP005430755 448-IPTG007N06NM5ATMA1CT |
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