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NP110N04PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 40V 110A TO263
Número de pieza NOVA:
312-2330441-NP110N04PUG-E1-AY
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
NP110N04PUG-E1-AY
Embalaje estándar:
800
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 40 V 110A (Tc) 1.8W (Ta), 288W (Tc) Surface Mount TO-263
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-263 | |
| Número de producto base | NP110N04 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 55A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 250µA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 390 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 25700 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 1.8W (Ta), 288W (Tc) |
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