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VN2110K1-G
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Número de pieza NOVA:
312-2263271-VN2110K1-G
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
VN2110K1-G
Embalaje estándar:
3,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 200mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-23-3 | |
| Número de producto base | VN2110 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 200mA (Tj) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.4V @ 1mA | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 360mW (Tc) | |
| Otros nombres | VN2110K1-GTR VN2110K1-GCT VN2110K1-G-ND VN2110K1-GDKR |
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