SQJQ112E-T1

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SQJQ112E-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

Número de pieza NOVA:

312-2288833-SQJQ112E-T1_GE3

Fabricante:

Número de parte del fabricante:

SQJQ112E-T1_GE3

Embalaje estándar:

2,000

Hoja de datos técnicos:

Formato de descarga disponible

águila

Okad

Forro

Kikad

N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Categoría	Transistores - FET, MOSFET - Simple
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalaje	Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PowerPAK® 8 x 8
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C	296A (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs	2.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.	3.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs	272 nC @ 10 V
Función FET	-
Paquete / Caja	PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	15945 pF @ 25 V
Disipación de energía (máx.)	600W (Tc)
Otros nombres	742-SQJQ112E-T1_GE3CT 742-SQJQ112E-T1_GE3TR 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR