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N-Channel 40 V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK
Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
Fabricante | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Through Hole | |
Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK | |
Número de producto base | BUK9 | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Serie | TrenchMOS™ | |
Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V | |
Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 2.1V @ 1mA | |
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 69.5 nC @ 5 V | |
Función FET | - | |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
Vgs (Máx.) | ±10V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 9150 pF @ 25 V | |
Disipación de energía (máx.) | 234W (Tc) | |
Otros nombres | BUK9E3R240E127 934066414127 568-9873-5 NEXNXPBUK9E3R2-40E,127 2156-BUK9E3R2-40E127-NX |
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