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PHT2NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
Número de pieza NOVA:
312-2344229-PHT2NQ10T,135
Fabricante:
Número de parte del fabricante:
PHT2NQ10T,135
Embalaje estándar:
4,000
Hoja de datos técnicos:
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N-Channel 100 V 2.5A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SC-73
| Categoría | Transistores - FET, MOSFET - Simple | |
| Fabricante | NXP USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SC-73 | |
| Número de producto base | PHT2 | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchMOS™ | |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) | |
| Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Máx.) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 1.75A, 10V | |
| Vgs(th) (Máx.) @ Id. | 4V @ 1mA | |
| Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs | 5.1 nC @ 10 V | |
| Función FET | - | |
| Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 160 pF @ 25 V | |
| Disipación de energía (máx.) | 6.25W (Tc) | |
| Otros nombres | 934056839135 PHT2NQ10T /T3 PHT2NQ10T /T3-ND |
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